2019 아주대 재료과학2 기말고사 자체해설본

소개글

하나 빼고 다 풀어냈습니다.
다만, 계산 문제의 경우 제가 조건을 다 외우고 있는건 아니므로 양해 부탁드립니다.

문제는 전부 복기했으며, 해설은 정식해설이 아니고 제가 푼것을 말씀드리는 것이니 참고만 하세요.
자세한 설명들은 전부 자료 안에 있습니다.

목차

없음

본문내용

1. 1) 진성 반도체의 정의 : 불순물을 섞지 않은 순수 Si 단결정 반도체
2) 비강도의 정의 : 인장강도 대 밀도의 비율
3) 발광의 정의 : 화학에너지가 빛에너지로 전환되면서 발생하는 것
4) 에너지밴드 갭 정의 : 전자가 발견되지 않는 띠 구간

2. n형 반도체와 p형 반도체의 원리를 적고 각각에 해당하는 원자들은 무엇이 있는지 적기
n형 반도체 – 5가 이온들이 불순물이 된다. P, Sb, As, Bi
p형 반도체 – 3가 이온들이 불순물이 된다. B,Ga,Al

n형 반도체는 과잉전자가 전하 운반자 역할을 하며, 진성 반도체를 도핑시킴
p형 반도체는 정공이 전하 운반자 역할을 한다.

3. 전류값 구하는 문제
옴의 법칙, 전류밀도 공식, 전도도 공식, 홀 전압 공식 4개 이용해서 푸는 문제였고, 단위 환산 중요합니다.

참고 자료

재료과학과 공학 9판 캘리스터