반도체공정정비요약

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본문내용

- 반도체
순수한 상태에서 부도체와 비슷한 특성을 보이지만 인공적인 조작에 의해 도체의 성질을 갖는 물질(게르마늄, 실리콘)
- 도체
전도도가 높아서 전기가 통하기 쉬운 물질 (금,은,동,알류미늄,철)
- 부도체
절연체라고도 불리며 전기가 통하지 않는 물질 (유리, 플라스틱)

- 고순도 실리콘 제조
1. 융융공정 SIO2를 탄소도가니에 넣고 전기를 이용해 가열. 탄소도가니는 SIO2로부터 산소를 떼어 내기 위해 사용
2. 염화공정 실리콘을 미세하게 분쇄하고 염산증기로 300’C에서 염화 액체상태의 사염화실리콘, 삼염화사일렌을 제조 고체를 순수한 결정으로 만드는 것이 매우 어렵기 때문.
3. 정제공정 필터와 응축을 통한 화학 정제 과정
4. 가열 및 이물질 제거 사염화실리콘, 삼염화사일렌을 수소분위기에서 1100’C로 가열 이물질 (HCI)제거해서 초고순도 실리콘 결정을 만듬

- 기둥형태로 제작하는 법
1) 브리지만법
도가니를 수직으로 이동시켜 최고 온도부위에서 연료를 융융. 융융 온도 이하의 저온 부위로 천천히 내려 단결정 성장. 도가니가 온도 구배를 통과할 때 경계에서 핵이 생성.
특징 도가니 형상이 단결정의 핵생성과 성장 과정에 중요한 인자
도가니 내부온도 및 온도구배를 정확하게 제어하는 기술이 중요
단결정 성장 전에 성장 온도 및 도가니 위치를 선정
진동을 없애기 위해 도가니를 고정, 성장로를 이동하기도 함.
2) 쵸크랄스키 인상법
반도체급의 다결정 실리콘을 가열해 용해. 시드 결정을 용융액 속에 담궈 천천히 돌리면서 끌어올림. 시드를 따라 순수한 실리콘 결정 덩어리(잉곳)가 형성.
특징 가장 일반적인 방법으로 우수한 결정을 얻을 수 있고 시드가 도가니 내에 들어갈 때 부분적으로 용해 시드에 달라붙는 원자들은 시드의 결정구조를 크게 만듦 형성된 결정은 시드와 같은 결정 방위를 가짐
3) 부유 대역 용해법
고주파 가열로 다결정과 단결정 사이에 국부적인 용융층 형성 용융액이 냉각되면 단결정으로 형성

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