경상대학교 반도체설계개론 3차 레포트/과제

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전자공학과 3차 레포트/과제입니다

목차

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본문내용

1. NMOS 트랜지스터의 각 동작 영역을 설명하고, 각 영역에서의 전류-전압식을 쓰시오.
차단영역(0<Vgs<Vth) 일 때 Ids=0이다.
트라이오드 영역(Vgs>Vth, 0<Vds<Vgs-Vth, Vgd>Vth) 일 때 Ids=uCoxW/L[(Vgs-Vth)-Vds/2]Vds 이다.
포화영역 (Vgs>Vth, Vds>=Vgs-Vth>0, Vgd<Vth) 일 때 Ids=1/2uCoxW/L(Vgs-Vth)2 이다.


2. MOS 트랜지스터내의 바디효과(body effect)에 대하여 다음을 기술하시오.
바디효과란 소스와 벌크 사이의 전압 Vsb에 의하여 문턱전압이 변하는 현상이다.
NMOS에서 Vsb>0이면 기판 쪽으로 정공이 당겨오고 채널영역에 더 많은 음이온이 남게 되어 공핍영역이 넓어지게되어 Qd가 증가하게 된다. 그래서 채널을 형성시키기 위해 문턱전압이 증가하게 된다.

참고 자료

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