[박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

소개글

[박막 공정] 박막공정(스퍼터링, CVD)

목차

▶ 스퍼터링의 정의
▶ sputtering의 발생
▶ Sputtering의 장점
▶ 스퍼터링 공정
▶ 스퍼터링 코팅의 종류
▶ 스퍼터링의 응용
▶ 기체 방전
▶ Target 표면의 반응
▶Substrate 표면반응
▶ 스퍼터링 효율에 영항을 미치는 인자 : 이온에너지, 이온 조사 각도, 이온종류
▶ 스퍼터링 공정 장치 개발
▶ EC planar sputtering의 단점
▶ Triode Sputtering
▶ Magnetron Sputtering
▶ RF Sputtering
▶ Ion Beam Sputtering
▶ 피막 형성
▶ 피막 조직
▶ 피막과 모재 계면 특성
▶ Epitaxial Growth
▶ Volmer - Weber Mode
▶ Stranski - Krastonov Mode
▶ Frank van der Merwe Mode
▶ 화학 증착법
▶ Thermally activated CVD
▶ CVD sources used and criteria for choice
▶ Hot wall reactor
▶ Cold wall reactor
▶ Parallel flow
▶ Normal flow
▶ 율속지배단계

본문내용

▶ 스퍼터링의 정의
활성화된 가스이온으로 고체표면을 충격하여 에너지 이전에 의해 표면 원자를 물리적으로 축축하여 다른 고체표면에 도금하는 공정.

▶ sputtering의 발생
glow discharge에 의한 target 표면에서 초기 이온들의 운동량 전달에 의한 물질들의 자유로운 상태로 이탈, DC diode discharge에 의한 plasma의 몇 개의 분명한 영역으로 구분
- cathode 근처의 cathode glow region은 + 또는 - ion들에 의한 빛의 발산이 cathode 표면에서 발생
- Cathode dark space : 거의 모든 전압이 강하하는 지역으로 target에 이온들을 가속화된 상태로 제공
- Low pressure의 Ar의 방전
- ion이 cathode에 부딪히면 열과 중성원자의 발생과 2차전자의 방출
- 방출된 2차전자는 가속화되어 dark space로 되돌아와서 negative glow region에 진입되어 전자가 부가되는 에너지에 의해 cathode discharge에 의해 glow discharge를 유지

▶ Sputtering의 장점
① Excellent film uniformity, particularly over large areas
② Surface smoothness and thickness control
③ Deposition of films with nearly bulklike properties, which are predictable and stable

참고 자료

없음