삼성전자 직무면접(PT면접) 준비자료

소개글

"삼성전자 PT면접 준비자료 2020하반기"에 대한 내용입니다.

목차

A. 합격스펙 및 합격인증
B. 가장 현실적인 PT면접 준비자료

본문내용

B. 가장 현실적인 PT면접 준비자료

1. Nand flash memory

1. 개요
플래시 메모리란 비휘발성 저장장치이다.

2. 특징
비휘발성 특징이 있으므로 데이터 저장이 필요한 대다수의 전자제품에 들어감. 작고 가벼우면서 충격에도 강하고 온습도에 영향도 덜 받아서 자주쓰임

3. 2가지 타입
nand타입과 nor타입 두 종류가 있습니다. 드모르간 법칙 때문에 nor nand논리 게이트만으 로 모든 논리 게이트를 구현할수있기 때문입니다. 일반적으로 nand타입은 쓰기속도가빠르며 nor타입은 읽기속도가 빠름,

4. nand flash 원리
a 쓰기 과정
b 읽기과정
이 그림은 낸드 플레시 셀 구조입니다.
c 지우기 과정

▶ 앞에서 말한 치명적인단점이 바로 쓰기/지우기 과정을 반복할수록 산화막의 손상이 일어나게되며 손상이 지속적으로 일어나 어느 수 준을 넘어서면 산화막이 더 이상 제 역할을 하지못하기 때문입니다.

5. 셀 레벨

현재 4개의 셀 겟수에 따라 구분되어있으며 순서대로 1 2 3 4비트라 생각하면됩니다

2. Dram

실제 화이트 보드에 이런식으로 정리하셔서 PT발표하시면 됩니다

-------------------------------------------------------안녕하십니까! ds부문 000 지원자 000 이번 발표주제는 dram입니다/ dram은 ds부문 메모리 사업부의 주요제품으로 많은 수익을 창출하고 있습니다. /15초

[ 첫째로 소개해드릴 내용은 d램의 정의에 대해 말씀드리겠습니다 그 [그다음으로는 디램의 쓰기과정에 대해 말씀드리고 [ 마지막으로 디램의 동향에대해 말씀드린후 발표 마치도록 하겠습니다.

1. 정의: a.먼저 디램에 정의에 대해 먼저 말씀드리겠습니다. b. dram(dynamic random access memory)은 /전원이 켜져 있는 동안에만/ 정보가 저장되는 /휘발성 메모리입니다.