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2021 삼성전자 DS메모리사업부 공정기술 합격 전공면접자료

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최초 등록일
2022.01.09
최종 저작일
2022.01
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소개글

"2021_삼성전자 DS메모리사업부_ 공정기술 합격 전공면접자료"에 대한 내용입니다.

목차

없음

본문내용

#. 웨이퍼를 Si 로 사용하는 이유
실리콘을 사용하는 이유는 크게 3가지로 나눌 수 있습니다.
첫째, 지구상에서 2번째로 풍부한 원소입니다. 그만큼 구하기 쉽고 가격적인 면에서 굉장히 저렴합니다.
둘째, 4개의 최외각 전자를 보유하여 화학적으로 안정한 상태입니다.
그래서 3가원소나 5가원소를 도핑할 때 불순물 농도 조절에 따른 전기적 저항의 변화를 쉽게 컨트롤 할 수 있습니다.
셋째, 우수한 산화력입니다. 규소는 산화반응을 통해 산화막 형성을 잘하는 특징이 있습니다. 그래서 전기적으로는 비저항이 높아 절연막 역할을, 물리화학적으로 안정하여 불순물로부터 보호할 수 있는 보호막 역할을 하기 때문에 Si 원소를 사용합니다.

#. 산화공정
웨이퍼에 실리콘 산화막을 형성하는 공정입니다. 산화막을 만드는 목적은 누설전류차단, 불순물로부터의 보호, 배선간 절연막 역할입니다. 산화막을 형성하는 방법에 건식과 습식 공정으로 나눌 수 있습니다. 건식산화는 산소만을 이용하여 산화막을 만들기 때문에 막 형성속도는 느리나 품질과 밀도가 우수한 장점이 있습니다. 그래서 소자 간 또는 Gate Insul ator 목적으로 사용됩니다.
습식산화는 산소와 수증기를 동시에 이용하여 막을 형성하는 방법으로 건식산화에 비해 막 형성 속도는 빠르나 수증기 속에 포함된 불순물도 같이 막에 형성될 수 있기 때문에 품질과 밀도가 상대적으로 좋지 않은 단점이 있습니다.

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