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반도체 소자 공정 회로설계 개념 요약

스흐흥
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최초 등록일
2022.02.19
최종 저작일
2021.09
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소개글

"반도체 소자 공정 회로설계 개념 요약"관련 내용입니다.

목차

없음

본문내용

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초록이
1. Si 에너지 밴드에 대해 설명하시오.
2. 반도체의 밴드갭에 대해 설명하시오.

문제 유형 파악 tip : 에너지 레벨을 정의하고, 에너지 레벨과 연관지어 에너지 밴드갭의 정의를 설명한다. 하나의 원자와 여러 개의 원자가 모인 격자의 차이를 설명하는 것이 필요하다.

keyword : 에너지 레벨, 격자 구조, 에너지 밴드, 가전자대, 전도대, 밴드갭

정답을 말하는 스토리 라인 : 하나의 원자는 오비탈에 전자가 위치하며, 이 전자들은 특정한 에너지 레벨에 위치한다. 에너지 레벨들은 같은 위치에 존재할 수 없어, 원자들이 모여 격자를 이루게 되면 미세하게 에너지 레벨이 나뉘어서 존재한다. 이러한..

<중 략>

1. PN 접합의 에너지 밴드 다이어그램을 그리고 설명하라.
2. PN 접합의 전류-전압 특성 그래프를 그리고 설명하라.
3. PN 접합의 역방향 바이어스일 때의 에너지 밴드를 그리고, 역방향 바이어스일 때 일어나는 문제점에 대해 설명하시오.

문제 유형 파악 Tip : 페르미 레벨의 개념을 이해하고, p형 반도체와 n형 반도체에서 페르미 레벨이 어디에 위치하는지 알고 있어야 한다. PN 접합의 에너지 밴드 다이어그램을 순방향 바이어스와 역방향 바이어스일 때의 에너지 밴드가 어떻게 변하는지 비교하여 설명하도록 한다.
스흐흥
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