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Cu/CoSi2 및 Cu/Co-Ti 이중층 실리사이드의 계면반응

(주)코리아스칼라
최초 등록일
2016.04.02
최종 저작일
1996.12
7페이지/파일확장자 어도비 PDF
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서지정보

발행기관 : 한국재료학회 수록지정보 : 한국재료학회지 / 6권 / 12호
저자명 : 이종무, 이병욱, 김영욱, 이수천

한국어 초록

배선 재료나 salicide 트랜지스터에 적용될 것으로 기대되는 Cu 배선과 Co 단일층 및 Co/Ti 이중층을 사용하여 형성된 코발트 실리사이드간의 열적 안정성에 대하여 조사하였다. 400˚C열처리후 Cu3Si 막이 CoSi2층과 Si 기판 사이에 형성되었는데, 이것은 Cu 원자의 확산에 기인한 것이다. 600˚C에서의 열처리 후에 형성된 최종막의 구조는 각각 Cu/CoSi2/Cu3Si/Si과 TiO2/Co-Ti-Si 합금/CoSi2/Cu3Si/Si였으며, 상부에 형성된 TiO2층은 산소 오염에 의한 것으로 밝혀졌다.

참고 자료

없음

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