RF 마그네트론 스퍼터링법에 의해 증착된 SrBi2Nb2>O9 박막의 전기적 특성에 관한 연구

서지정보

ㆍ발행기관 : 한국재료학회 ㆍ수록지정보 : 한국재료학회지 / 11권 / 4호
ㆍ저자명 : 조금석, 최훈상, 이관, 최인훈

한국어 초록

세라믹 타겟인 Sr2Nb2O7 (SNO)과 Bi2O3을 장착한 RF-마그네트론 스퍼터링을 이용하여 SrBi2Nb2O9 (SBN) 박막을 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 증착시 두 타겟의 파워비를 조절하여 조성의 변화에 따른 SBN 박막의 구조적 및 전기적 특성을 조사하였다. 증착된 SBN 박막은 700˚C의 산소분위기에서 1시간 동안 열처리를 하였으며 상부전극으로 Pt를 증착한 후 산소분위기에서 30분 동안 700˚C에서 전극 후열처리를 실시하였다. 증착된 SBN 박막은 700˚C 열터리 후에 페로브스카이트 상을 나타냈으며 SNO 타겟과 Bi2O3타겟의 파워가 120 W/100 W 일 때 가장 좋은 전기적 특성을 나타내었다. 이때의 조성은 EPMA(Electron Probe X-ray Micro Analyzer) 분석을 통하여 확인하였으며 Sr:Bi:Nb의 비가 약 1:3:2임을 나타내었다. 이러한 과잉의 Bi조성을 가진 SBN 박막은 3-9 V의 인가전압에서 1.8 V-6.3 V의 우수한 메모리 윈도우 값을 나타내었으며 누설전류 값은 인가전압 5 V에서 1.54×10-7 A/cm2였다.

참고 자료

없음