FeRAM

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FeRAM에 대한 프리젠테이션

본문내용

Mechanism
The Remnant polarization state is maintained after the removal of the electric field
Hysteresis curve
Ferroelectric Materialsused in FeRAM
Cell Structure
집적도
의
향상
2T2C Structure
Ex) 전압차 = ‘+’ → “1”을 표현
전압차 = ‘-’ → “0”을 표현
서로 서로 상보적 동작
Destructive Process
Requires the cell to bere-written
1T1C Structure
Force the cell into a particular state (+Pr state)
Represent a Binary Format
Compare with a
Reference voltage
1Tr Structure
Non-destructive Process
High Density
Floating Gate Structure
Degradationof a Si layer
Properties of FeRAM
Properties of FeRAM
Limitation Barrier of FeRAM
Low Integration density
Large cell structure(ex 2T2c)
-Trigger charge-losing ferroelectricity in small size
New Cell Structure

참고 자료

Sima Dimitrijev, 『반도체 공학』, 양서각, 2002
William D. Callister, 『Material science and Engineering : An Introduction』, WILEY, 2007
김기일 외 2명, “차세대 메모리-비휘발성 메모리 동향 및 가능성”, 한국과학기술정보연구원, 2005
유병곤 외 2명, “유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술(MRAM, FeRAM, PRAM), 전자통신동향분석 제20권 제1호, 2005
테크월드, “실용화 단계에 접어든 FeRAM의 최신 기술 동향”, EP&C , 2003
특허청, 『2004 신기술동향조사 보고서-차세대 반도체 정보기억장치』, 2004

위키피디아백과사전
FeRAM, http://en.wikipedia.org/wiki/Ferroelectric_RAM
FeRAM, http://ko.wikipedia.org/wiki/FeRAM

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