Sputtering 방법을 통해 증착한 Cu-Ti 박막의 후 열처리 온도에 따른 Cu-Silicide 형성과 비저항의 미치는 영향과 특성 평가 실험

소개글

PVD(sputtering)증착에 의한 Cu-Ti박막의 비저항 변화와 그 그래프, XRD에 의한 고찰에 대해서 잘 알 수 있는 보고서 입니다.

목차

1. 실험 목표
2. 이론적 배경
-sputter의 원리
3. 실험방법
4. 실험 결과
- 열처리 온도에 따른 resistivity의 변화
- 온도에 따른 비저항 그래프
- XRD에 따른 그래프
5. 고찰
6. 설계문제

본문내용

1. 실험 목표
- Silicide 형성 기구 이해(kinetic, themodynamic)
- 제조 방법(sputtering)의 이해
- 응용 내용 이해( 반도체 metallization)

2. 이론적 배경
◎ sputter의 원리
① Sputtering의 원리
sputtering은 진공도가 일정수준에 이르면 진공 chamber내로 불활성기체(Ar)을 주입하고 전장을 인가하면 Glow Discharge가 형성된다. 이러한 글로우 방전(Glow Discharge)을 이용하여 Ion을 형성하고, 이를 전자기장으로 가속하여 타겟 물질인 고체 표면에 충돌시킨다. 이때 내부의 원자와 분자들이 운동량 교환을 통해 표면 밖으로 튀어나오게 된다. 이러한 현상을 "Sputtering 현상" 이라고 한다.
튀어나온 secondary electron이 Ar과 충돌해서 ionization시켜서 Ar+를 만들거나 Ar* 을 만들고 Ar* 이 ground state로 떨어지면서 빛을 낸다. (glow discharge)

② Sputtering의 특징
∙ 거의 모든 원소를 sputtering 할 수 있으며 합금이나 화합물도 조성을 유지하면서 증착이 가능
∙ 고용되지 않는 원소도 증착 가능
∙ 증착 시 증착물의 조성을 바꿀 수 있다.
∙ 산화물의 증착이 가능하다.
∙ 증착막 두께의 균일성
∙ 큰 면적의 타겟 이용 가능
∙ 열적증발(Thermal evaporation)이 없다.
∙ 아크 증착(Arc deposition)시와 같은 macro-particle이 형성되지 않는다.
∙ 저온 증착이 가능
∙ 전자의 입사에 의한 기판의 손상
∙ 에너지의 비효율성
∙ 높은 working pressure ⇒ 박막의 순도 ↓

참고 자료

없음