다이오드의 특성

소개글

다이오드의 특성 및 종류 수록

목차

1.반도체
-도체
-절연체
-반도체
1.2.도체물질의 성질
1.3 원소주기율표
2.에너지대
3.실리콘과 게르마늄 반도체의 다이어그램
4.전자 대 정공의 흐름
5.이상적인 다이오드 특성
6.실제적인 다이오드의 모델
7.다이오드의 순방향과 역방향 바이어스 특성
8.Zerner 영역
9.실리콘 다이오드와 게르마늄 다이오드
10.다이오드의 등가회로
11.다이오드의 종류

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본문내용

1.반도체
-도체
쉽게 전류가 흐르는 물질이며, 동,은,금 알루미늄(단일 원소)물질이 있다.
원자에 매우 약하게 속박된 1개의 가전자만을 가지는 원자 구조를 가진다.
가전자들은 원자들로부터 쉽게 떨어져나가 자유전자가 된다.
도전성 물질은 많은 자유전자가를 가지며, 이들 자유전자가 동일한 방향으로 움직일 때 전류가 형성된다.

-절연체
전류가 휩게 흐리지 못하는 물질이다.
가전자들이 원자에 강하게 속박되어 있으므로 절연체 내에 자유전자가 거의 없는 구조를 가진다.

-반도체
도체외 절연체 사이의 전도율을 가진다.
진성 상태의 반도체는 원전 도체도, 완전 절연체도 아니다.
가장 대표적인 단일 원소로 구성된 반도체로는 실리콘(Si),게르마늄(Ge),탄소(C)등이 있고,
갈륨비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체도 있다.

물질은 공간을 차지하고 질량을 가지고 있으며, 고체,액체, 기체 상태로 존재한다.
반도체는 고체전자소자이며, 전도율에 따라 고체 물질을 도체, 반도체, 절연체로 나눈다.
전도율이 약 10[/m]이상의 물질을 도체, 10[/m]이하의 물질을 절연체, 그리고 전도율이 도체와 전열체의 중간에 위치한 물질을 반도체라 한다.

도체-은, 구리, 알류미늄, 백금, 비스무스
반도체- 게르마늄, 실리콘, 갈륨비소, 갈륨인, 유화카드뮴
절연체- 유리, 산회니켈, 다이아몬드, 유황, 용융, 석영

1.3 원소주기율표


2주기-B(붕소),C(탄소)
3주기-Al(알루미늄),Si(실리콘),P(인),S(유황)
4주기-Zn(아연),Ga(갈륨),Ge(게르마늄),As(비소),Se(셀렌)
5주기-Cd(카드늄),In(인듐),Sb(안티몬),Te(테루루)

원소는 자연의 기초 단위로서 화학적으로 더 이상 쪼갤 수 없는 최소 단위이며, 화합물은 두개 이상의 원소가 화학적으로 결합한 것을 말한다. Si나 Ge와 같이 한 종류의 원자로 구성된 원소 반도체는 주로 Ⅳ족에 있다.
Ge는 비교적 낮은 온도에서도 높은 누설전류가 흐른다. 산화물이 수용성이기 때문에 소자로 제조하기에 적합하지 못하다. Si는 산화물을 쉽게 만들 수 있고, 지구에서 산소 다음으로 많아서 (모래에 다량 함유) 경제적으로 값이 싸다.

참고 자료

없음