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다이오드 특성 예비레포트

*우*
최초 등록일
2009.11.22
최종 저작일
2009.11
7페이지/워드파일 MS 워드
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소개글

예비레포트입니다

목차

1) 목적
2) 관련 이론
3) 실험 • 실습 사용기기 및 재료
4) 실험 순서 및 방법
5) 실험 결과 및 고찰

본문내용

1) 목적

1. 실리콘과 게르마늄 다이오드의 특성을 익힌다.


2) 관련 이론

오늘날 대부분의 디지털 멀티미터 (DMM)은 다이오드의 상태를 결정하는데 사용될 수 있다. 이 장비는 순방향과 역방향 바이어스 영역에 있어서 다이오드 상태를 나타낼 수 있는 다이오드 기호를 가지고 있다. 순방향 바이어스로 연결되면 멀티미터는 2mA 근처의 전류에서 다이오드에 나타나는 순방향 전압을 표시하게 될 것이다. 역방향 바이어스 바이어스로 연결되면 이 영역에서 종종 개방회로임을 보여주는 OL이 디스플레이 상에 나타난다. 만약 디지털 멀티미터가 다이오드 상태를 검사할 수 있는 기능이 없다면 다이오드의 상태는 순방향과 역방향 바이어스 영역에서 저항을 측정함으로서 가능하다. 다이오드를 검사하기 위한 2가지 방법을 본 실험에서 다룬다.
Si나 Ge 다이오드의 특성은 일반적으로 그림 12-1에 나타낸 일반적인 모양을 가진다. 수직과 수평축의 눈금의 변화에 주목하라. 역방향 바이어스 영역에서 역포화 전류는 0V에서 제너전위까지 거의 일정하다. 순방향 바이어스 영역에서 전류는 다이오드 전압이 증가함에 따라 급격히 증가한다. 곡선이 1V 이하의 순방향 바이어스 전압에서 거의 수직으로 증가하는 것에 주목하라. 순방향 바이어스 된 다이오드 전류는 오로지 다이오드가 연결된 네트워크나, 최대전류 또는 다이오드의 정격전류에 의해 제한된다.

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없음

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