전기저항실험

소개글

실험이론과 데이터분석과 분석및토의로 이루어져있습니다.

목차

실험제목 : 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)
[실험이론]
1)옴의 법칙
2)다이오드 특성
실험제목 : 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)
[데이터분석]
실험제목 : 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)
[분석 및 토의]

본문내용

실험제목 : 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 특성)
[실험이론]
1)옴의 법칙
어느 저항체에 걸리는 전압 V와 이에 흐르는 전류 I의 비율을 전기저항 R이라 하며 다음과 같은 식으로 표현할 수 있다. 여기서 전기저항 R은 물질의 종류, 모양, 크기, 온도 등에 따라 달라지며, 걸린 전압 V에 따라서도 달라질 수 있다. 보통 저항체의 경우에는 걸린 전압 V나 전류 I와는 무관하게 일정한 전기저항 R을 갖는다. 이와 같이 전압 V와 전류 I가 일정한 상수 비율(전기저항 R)로 주어지는 것을 옴(Ohm)의 법칙이라 한다. 반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.
2)다이오드 특성
Ⅳ족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정 상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 Ⅲ족이나 Ⅴ족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 인(P)과 같이 5개의 원자가전자를 가지는 Ⅴ족 원소가 미량 첨가되면, 이 Ⅴ족 원소의 4개 원자가전자는 이웃하는 4개의 Ⅳ족 원소와 공유결합을 이루고, 남은 1개의 원자가전자는 비교적 자유로이 움직일 수 있어 작은 전기 저항 값을 가지게 된다. 이와 같이 Ⅴ족 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 가지는 반도체를 n형 반도체라 한다. 반면에 갈륨(Ga)과 같이 3개의 원자가전자를 가지는 Ⅲ족 원소는 이웃의 3개의 Ⅳ족 원소 결정에 미량 첨가하면,

참고 자료

없음