전자공학 실험 ) 접합 다이오드의 특성 - 실험 예비, 결과 보고서
- 최초 등록일
- 2010.02.01
- 최종 저작일
- 2010.02
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소개글
전자공학 실험 ) 접합 다이오드의 특성 - 실험 예비, 결과 보고서
목차
1. 실험의 목적
2. 실험용 기기 및 부품
3. 실험을 위한 기초이론
(1) 접합 다이오드의 원리
(2) 다이오드의 종류와 응용
(3) 멀티미터를 이용한 다이오드의 시험법
4. PSpice 시뮬레이션
5. 실험방법 및 결과
(1) 멀티미터를 이용한 다이오드의 시험법
(2) 다이오드의 순방향 전류-전압 특성의 측정
(3) 다이오드의 역방향 전류-전압 곡선의 측정
6. 검토 및 토의 그리고 느낀점
본문내용
3. 실험을 위한 기초이론
(1) 접합 다이오드의 원리
다이오드란 2개의 전극의 의미를 합성한 것으로, 2개의 전극을 가진 전자소자를 의미한다. 다이오드의 anode는 p형의 반도체로, cathode는 n형의 반도체로 만들어진다. 반도체란 말 그대로 도체와 부도체의 중간적인 성질을 갖는 재료로써, 전기 전도도나 저항 등의 물리적인 성질에 있어서 도체와 부도체의 중간 값을 갖는다. 진성반도체는 외부에서 불순물을 투입하지 않은 상태여서 전자와 정공의 농도가 낮고 그 농도도 같다.
진성반도체에는 인위적으로 불순물을 첨가하여, 전기 전도를 담당하는 전자나 정공의 농도를 변화시킬수 있으며, 이를 도핑이라 한다. 다음에 보인 표 17.1은 대표적인 반도체 재료를 최외각의 전자수에 따라 구분하여 놓은 것이다. 다이오드는 앞에서 설명한 p형 반도체와 n형 반도체를 하나의 반도체결정 안에 접합을 형성하여 만들어지며, 이 때문에 pn접합 다이오드라고 한다.
그림 17.1을 이용하여 pn접합의 물리적인 특성을 설명한다. 먼저, 그림 17.1의 (a)는 접합을 형성하기 전의 상태를 나타낸 그림으로써, P형 반도체에는 다수 캐리어인 정공과 이 정공을공여하여 전기적으로 (-)를 띤 억셉터 원자가 존재하고 있다. 또한, n형 반도체에는 자유전자와 이 자유전자를 공여하여 전기적으로 (+)를 띤 도너 원자가 존재하고 있다.
그림 17.1의 (b)는 접합이 형성된 초기의 상태이다. 그림 17.1(c)는 그림 17.1의 (b)에 보인 과도적인 상태를 지나 평형상태로 된 pn접합의 경계면 부근에서 이온들이 대전되어 이동하므로 천이 영역이라고 한다.
참고 자료
없음