신소재 기초 실험 (산화 공정)

소개글

요번 년도에 작성한 신소재 기초 실험 신현정교수님 주관의 산화공정 실험입니다.
두께 측정 잘 나와있구요. 구하는 방법 다 서술되어 있습니다.

목차

1.제목
2.목적
3..이론
4. 실험밤법
5.실험 결과
6.실험고찰
7.참고문헌

본문내용

6.실험고찰

이번 실험은 산화공정 실험으로 실리콘웨이퍼의 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)를 형성 시키는 공정을 알아 보는 실험이다. 실리콘 위에 산화막을 형성 시키는 이유는 실리콘 표면에 먼지나 기타의 이물질들로부터 오염을 방지하는 역할을 할 뿐만 아니라 반도체 소자에서 절연체의 역할을 하여 전류와 도핑물질의 이동을 막는 데 사용할 수 있다고 한다. 이 공정은 반도체에서 매우 중요하다.
이 공정은 먼저 WAFER CLEANING 이라 불리는 단계에서부터 시작 되는데 이 단계에서, 실리콘 웨이퍼에 자연스럽게 생기는 산화막을 제거 한다. 자연적으로 생긴 산화막은 불균등 하게 분포 되어 있기도 하며, 이물질들이 많기 때문에 깨끗하게 제가 해야 되기 때문이다. 이 때 자연적으로 생긴 산화막을 제거할 때 불산을 사용하게 된다. 불산은 D.I.Water와 1:7의 비율로 희석시켜 사용하게 된다.
여기서 D.I.Water는 순수한 H2O만으로 이루어진 물로, 보통 증류수나 수돗물 같은 경우에는 이온들이 있기 때문에 전기가 흐른다. 하지만 D.I.Water의 경우에는 전기가 거의 통하지 않는다. 그렇기 때문에 실험에서는 대부분 그냥 수돗물 대신 D.I.Water를 사용한다.

참고 자료

없음