100325 스트레인 게이지
- 최초 등록일
- 2011.10.18
- 최종 저작일
- 2010.04
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소개글
홍익대 기계시스템디자인과 계측 및 신호처리 2010년 A+ 받은자료입니다.
목차
1. 실험
2. 실험 목적
3. 실험 이론
4. 실험 도구
5. 실험 방법
6. 실험 결과
7. 실험에 대한 고찰
본문내용
1. 실험
스트레인 게이지
2. 실험 목적
1) 스트레인 게이지의 기본원리와 사용 방법을 익힌다.
2) 스트레인 게이지를 설치 후 이를 통해 변형률을 측정한다.
3) 실험 후 실험값과 이론값의 오차에 대해 고찰해본다.
4) 측정된 실험값을 이용하여 미지의 추에 변형률을 측정하고 그래프를 이용하여
하중을 계산 해본다.
3. 실험 이론
1) 스트레인 게이지
물체에 외부로부터의 힘을 가하면 내부에서는 이에 저항하는 응력(stress)이 발생하는 동시에 물체를 구성하고 있는 분자 상태가 변화하여 물체의 형상, 또는 치수적인 것이 변화를 일으킨다. 이러한 물리적인 변형을 스트레인(strain)또는 변형도라고 하며 이를 메카니즘을 통하여 전기적인 신호로 변화시켜 피 측정물의 변형량을 측정하는 저항 Sensor 이다.
스트레인 게이지는 금속 또는 반도체라고 하는 저항체에 일그러짐이 가해지면 그 저항값이 변화한다는 압저항 효과를 이용하고 있으며 공업 계측기 등에 널리 응용되고 있다. 스트레인 게이지의 감도는 기계적 일그러짐에 의한 저항값 변화인 게이지율(GF:Gauge Factor)로 표시된다. 압저항 효과의 원인으로서는 길이나 단면적등의 외형 변화에 의한 저항 변화와 응력에 의한 전기 전도도 자체의 변화가 있다. 금속에서는 비저항의 변화는 거의 없고 주로 외형 변화에 의해서 압저항 효과가 나타나는데 대하여 Ge나 SI 등의 반도체에서는 일그러짐에 의해서 에너지 밴드 구조가 변화를 일으키는데 전기 전도도 자체의 변화가 외형 변화에 의한 저항 변화보다 훨씬 크다.
참고 자료
없음