전자회로실험01,02예비-접합 다이오드의 특성, 다이오드의 반파, 2.전파 및 브리지 정류

소개글

A+ 받은 보고서입니다.

목차

1. 접합 다이오드의 특성
실험 목적
기초 이론

2. 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류
실험 목적
기초 이론

본문내용

1. 접합 다이오드의 특성
실험 목적
1) 순방향 및 역방향 바이어스 전압이 접합 다이오드의 전류에 미치는 효과를 측정한다.
2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.
3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.

기초 이론
반도체 : 저향율이 도체와 절연체 사이에 존재하는 고체를 말한다.
주로 사용되는 원소 반도체는 Ge(게르마늄), Si(실리콘)인데 현재는 Si이 주를 이루고있다.
정제된 반도체 : 진성반도체 또는 순수반도체라 부르며 도전율을 높이기 위해 3가나 5가의
불순물 첨가한 p형 또는 n형 반도체를 만든다.
n형 반도체 - 5가원소 첨가, 다수 캐리어는 자유전자가 된다.
p형 반도체 - 3가원소 첨가, 다수 캐리어는 정공이 된다.
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합되면 pn접합 다이오드가 된다.
이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다. 이것이 바로 다이오드의
특성이다.
다이오드에 외부 전압을 가하여 동작시키는 것을 바이어스라 하는데, 전압을 가하는 방향에 따라 순방향 바이어스(forward bias)와 역방향 바이어스(reverse bias)가 있다. 순방향 바이어스시 다이오드는 다수 케리어의 이동에 의해 충분한 전류가 흐르고, 역방향 바이어스는 다이오드 소수 케리어의 이동으로 인해 미소한 누설 전류만이 흐르게 된다. 이와 같은 다이오드의 전압, 전류 관계를 수식으로 표현하면 다음과 같다.

참고 자료

없음