전자재료실험 - 열처리 시간에 따른 C-V I-V 특성 분석 결과보고서

소개글

전자재료실험과목중

SiO2 300nm, 0분 5분 10분의 열처리 시간에 따른

C-V I-V 특성 분석 결과보고서입니다.

유용하게 쓰시기 바랍니다.

목차

1.실험목적
2.실험배경
3.실험이론
4.실험장비
5.실험방법
6.실험결과분석
7.참고문헌

본문내용

1. 실험목적

MOS Capacitor를 직접 제작하며 공정을 이해하고, Dielectric 재료와 열처리 시간 변수에 따른 MOS Capacitor의 특성 및 구동원리를 이해한다.

2. 실험배경

인류는 집적회로(Integrated circuit; IC)의 개발로 많은 수의 Transistor, Capacitor등이 한 개의 반도체 Chip안에 집적화할 수 있게 되었다. 이 점을 활용해 DRAM, Computer, Display 등 많은 분야에서 비약적인 발전을 이루고 있다. 이런 인류의 발전의 시작은 바로 미국의 bell 연구소에서 이루어진 최초의 Ge를 이용한 Transistor의 발견이다. 현재는 Ge oxide의 불안정한 상태 때문에 Ge보다는 Si 사용한 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이 반도체산업의 중심에 서있다. 전기신호의 증폭과 스위칭을 가능하게 한 Transistor의 기능에 가장 근본적인 원리를 설명하여 줄 수 있는 것이 MOS capacitor 이다.

3. 실험이론

① Capacitor(커패시터)

커패시터란 두개의 도체판을 절연물질(Insulator)을 중간에 두고 맞대어 놓은 구조물이다. 커패시터의 한 도체판에 전압이 인가되어 잉여의 전자가 존재하게 되면 반대편 판에서는 도체를 이루고 있는 전자들이 앞판의 전자압력에 의해 뒤편으로 밀려가서 전자밀도가 낮은 다른 곳으로 흘러가게 되어 결국은 (+)전기의 성질을 띄우게 되어 두 판은 서로 전기적으로 반대 극성을 띠고 외부의 전자를 붙들고 있게 된다. 이렇게 된 것을 커패시터가 충전되어 있다고 한다.

참고 자료

고체전자공학 제6판, 벤스트리트만, p288-p309 (Primary reference)
열처리 조건에 따른 HfO2/Hf/Si 박막의 MOS 커패시티 특성, 이대감, 도승우 외 3명, 경북대학교, 위덕대학교 (MOS Capacitor)
WIKIPEDIA The Free Encyclopedia (ALD)
www.tectra.deE-Beam Evaporator Manual, Ver. 2.2, 한만희, 이강원
(E-Beam Evaporator)
금속 열처리 장치를 이용한 실리콘 산화막의 Annealing 효과, 박현우, 장현룡, 황호정, 중앙대학교 전자공학과 (열처리 효과_
그 외의 참고문헌
- http://npl.postech.ac.kr/?mid=topic_nanopattern
- Nanodevice Laboratory Hyungjun Kim`s Research Group -Nano Deposition
- http://www.icmm.csic.es/fis/english/evaporacion.html
- http://en.wikipedia.org/wiki/Evaporation_(deposition)