84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

*홍*

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최초 등록일: 2012.02.18
최종 저작일: 2009.03; 35페이지/ MS 파워포인트; 가격 1,000원

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공학 레포트

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에피택시 (Epitaxy) 공정
그리스문자 epi(위에) + taxis(배열) = 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy)
기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 얇은 단결정 막을 기르는 기술
기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal) 이 되며, 새 결정은 기판과 같은 결정구조 및 방향성을 가진다.
1.에피택시란?

단결정 실리콘 위에 각종 반도체 관련 재료들을 올려놓기 위해 일종의 얇은 필름으로 실리콘의 표면을 덮는 코팅공정
각 재료들이 특정 위치에 정확히 위치 할 수 있도록 하는 기초공사
결정 성장 속도가 초크랄스키법 속도의 1/1000.
두께가 수 ㎛ 정도인 소자용 결정층의 제작에 이용
기판 결정의 용융점보다 훨씬 낮은 온도에서 행해짐

참고 자료

없음

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