전자전기실험-MOSFET
- 최초 등록일
- 2012.11.09
- 최종 저작일
- 2012.04
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소개글
전자전기실험 과목 중, MOSFET 관련한 발표자료입니다. A+ 받은 자료이며 알아보기 쉽게 애니메이션으로 정리가 잘 되어있습니다. 또한 맨 뒷장에는 발표할 내용 멘트를 정리하여 따로 추가하였습니다.
목차
- Performance property about Diode & PN juntion
- Basic principle about Semiconductor
- Performance property about BJT
- Basic principle about JFET & MOSFET
- Performance property about JFET & MOSFET
- Application of JFET & MOSFET to experiment
본문내용
Basic Technical Terms
P-type / N-type
2. Enhancement-type / Depletion-type
- N-type Semiconductor : 5족 원소 도핑 -> Majority Carrier = Electron
- P-type Semiconductor : 3족 원소 도핑 -> Majority Carrier = Hole
3. Bypass - Capacitor
- Enhancement-type MOSFET
: 증가형 모스펫 - “Vg=0”일 때는 “ID”가 흐르지 않으며, Vg의 조
절로 출력전류를 출력/감소
- Depletion-type MOSFET
: 공핍형 모스펫 - “Vg=0”일 때도 “ID”가 흐를 수 있고, Vg의 조
절로 출력전류를 출력/감소
- IC(Integrated Circuit)는 노이즈에 약함
-> 전원에 떨림현상이 있으면 오동작을 할 위험이 있음
-> Bypass-Capacitor 를 통해 AC 성분 제거
<중 략>
3-3. J/MOSFET에 대하여
ㅏㄴ내
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3-3-1. Zener Diode 를 이용한 모스팻 보호방법
-> Zener Diode의 일정 전압 이상 흘리지 못하게 하는 성질을 이용
3-3-2. JFET 전압분배 바이어스 기법
3-3-3. 이중게이트 MOSFET
-> 이중게이트 MOSFET을 사용한 Common Source Amplifier
-> G1, G2로 외부에서 같이 연결
-> 비교적 낮은 전압이득, G2는 증폭값제어 or 주파수 변환에 사용
-> 비교적 높은 주파수에서 사용 제한을 완화
참고 자료
없음