재료기초실험 접합 다이오드의 특성 실험

목차

1. 제목
2. 실험 일시 및 장소
3. 실험목적 및 원리 (이론)
4. 장치, 방법
5. 결과
6. 고찰

본문내용

(2) 실험원리 (이론)

[1] N형 반도체
실리콘, 게르마늄과 같은 결정 내에 5개의 가전자를 갖는 5족 원소인 안티몬, 비소, 인 등의 억셉터 불순물을 도핑하면 4개의 외각 전자는 공유 결합을 이루게 되고 한 개의 전자는 결합을 못한 채로 자유롭게 놓이는 과잉 전자가 되어 낮은 에너지로도 원자의 구속을 쉽게 벗어나 결정 내를 자유롭게 돌아다니며 전류를 흘리는 작용을 한다. 이 때, 불순물 반도체의 캐리어는 음전하를 띤 전자이므로 N형 반도체라 한다.

[2] P형 반도체
실리콘, 게르마늄과 같은 결정 내에 3개의 가전자를 갖는 3족 원소인 알루미늄, 붕소, 인듐 등의 도너를 도핑하면 이들 불순물이

<중 략>

1) 주어진 다이오드의 극성을 디지털 멀티미터를 이용 확인한다.
2) Si 다이오드를 사용하여 그림 17-4와 같이 회로를 구성한다.
3) 직류 가변 전원 장치를 서서히 증가시키며 순방향 전압 Vf 가 표 17-1와 같이 되도록 하였을 때 순방향 전류 If를 측정 기록한다.
4) 그림 17-5와 같이 다이오드를 역방향으로 하여 회로를 구성한다.
5) 3번과 같은 방법으로 표 17-2에 역방향 전류 IR 을 측정 기록한다.
6) 그림 17-4, 그림 17-5에서 Si 다이오드를 Ge 다이오드로 바꾸어 실험방법 3에서 5까 지 반복하여

<중 략>

Si 다이오드와는 달리 Ge 다이오드는 순방향에서 낮은 전압에서도 전류가 흐르기 시작하였다. 하지만 급격한 변화는 없고 일정하게 증가하였다. 역시 역방향에서도 Si 다이오드와는 다른 특성을 보였는데 미세한 전류이지만 Ge다이오드 에서는 급격하게 전류가 증가하는 것을 알 수 있었다. 공통적으로 순방향 다이오드에서는 전압이 증가하면 전류도 증가하고 역방향에서는 전압이 증가하면 전류는 흐르지 않는 것이 아니라 미세하게 증가하는 것을 알게 되었다. 하지만 다이오드에 따라 순방향에서와 역방향에서의 전압에 따른 전류의 변화폭의 차이는 있었다.

참고 자료

없음