신소재 기초실험 반도체 소자

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 실험관련 이론
4. 실험 절차
5. 실험 결과
6. 실험 고찰 및 소감.

본문내용

1. 실험제목 : 반도체 소자의 형명 및 판별법

2. 실험목적 : ① 반도체 소자의 형명 구성을 이해
② 각종 반도체 소자의 극성판별 및 부품 점검, 방법을 알아보기

3. 실험관련 이론
- 이번 실험의 반도체 부품은 TR (NPN, PNP), 일반다이오드, LED, FET, UJT, SCR, TRIAC, Photo TR 이다.

그림 다이오드의 기호
- 다이오드는 한 방향으로만 전류가 흐르고 반대 방향으로는 전류가 흐르지 않는 특성을 갖고 있으며 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시켜서 만든 것으로 단자가 2개로 되어있다. 재료로는 실리콘(Si), 게르마늄(Ge)로 반도체를 만들며 P형 반도체는 Anode, N형 반도체는 Cathode로 구성되어있다.

- TR (트랜지스터)는 반도체의 PN접합에서 도전 작용을 이용하여 저항이나 콘덴서, 코일과 조합하여 전자회로를 구성하고 증폭회로를 기본으로 한다. TR은 중앙의 좁은 부분을 베이스라고 하고 베이스 사이에 순방향의 전류가 흐르는 부분을 이미터, 역방향의 전류를 흘리는 부분을 컬렉터라고 한다. NPN은 2개의 N형 반도체 사이에 P형 반도체가 있는 TR, PNP는 2개의 P형 반도체 사이에 N형 반도체가 있는 TR이다. ex) 발진회로, 변·복조 회로

참고 자료

없음