아주대 분야별실험 기계설계실험 LDV, Gap sensor를 이용한 변위측정

소개글

2013년 아주대 분야별 실험 기계설계실험 A+보고서 입니다. 제가 작성한 것이라 중복 없으실 겁니다. ^^

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 장치
4. 실험 방법
5. 실험 결과
6. 고찰 및 결론
7. 부 록

본문내용

1. 실험 목적
LDV와 Gap sensor의 작동 원리와 특성을 이해하고 변위를 측정하는 실험을 통해서 실제의 값과 비교와 분석을 해본다.

2. 실험 이론
1) LED 제조 공정
LED 제조공정은 에피 웨이퍼 제조 -> 칩 생산 -> 패키징 -> 모듈 등으로 진행된다.

① 먼저 기초소재인 단결정 웨이퍼에 단결정 박막을 성장시켜 에피 웨이퍼를 제조한다.
② 칩 생산 공정은 전극을 형성하고 개별 칩으로 절단하는 단계
③ 패키징 공정은 제조된 칩과 리드를 연결하고 빛이 최대한 외부로 방출되도록 하는 단계
④ 모듈공정은 패키징이 완료된 LED를 이용하여 일정한 프레임에 LED를 부착시키는 단계

LED 칩 제조 공정
성장된 에피 웨이퍼를 가지고 LED 칩을 제작한다. 칩 공정은 전 공정과 후 공정으로 나뉘어 있다. 전 공정은 P,N전극형성 공정, 식각공정, 보호막 형성 공정이 있다. 후 공정은 기판을 얇게 연마하는 랩핑 공정, 칩을 분리시키는 스크라이빙 공정, 전기적, 광학적 전수측정 , 등급분류, 외관검사 가 있다.

LED 칩 공정 순서
1. 웨이퍼 세척 2. 투명 전극 형성 3. 에피층 식각 4. P패드 형성
5. P패드 금속합금화 6. N형 전극 증착 7. N형 전극 합금화 8. 보호막 형성
9. 이면 연마 10. 스크라이빙 11. 전기적 , 광학적 특성 전수 측정
12. 등급별 분류 13. 외관검사 14. 포장 15. 출하검사 및 출하

LED칩의 계열별 제작공정은 ①InGaAIP/GaAs 계열의 공정과 ②InGa(AI)N/GaN 계열의 공정으로 분류한다.
① InGaAIP/GaAs 계열은 N+-GaAs 기판을 사용 하고 그 위에 N형 반도체와 MQW 구조의 활성층 및 P형 반도체와 콘텍층의 에피층으로 구성되어 있다.
② P+GaAs 기판을 사용하는 경우 P형 반도체와 MQW 구조의 활성층 및 N형반도체과 콘텍층의 에피층으로 구성되어 있다.

참고 자료

http://www.photron.co.kr/led_manufacturing.htm
http://www.google.co.kr/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&frm=1&source=web&cd=13&ved=0CHwQFjAM&url=http%3A%2F%2Fgsig-systems-staging.boldfocus.com%2Fsystems%2FPDFs%2Fwafermark_die_level.pdf&ei=yICDUoO9LIakkAWL7oHoCQ&usg=AFQjCNGWZeGa4rnlaV3TSHHOfjpS8_jPEQ&bvm=bv.56343320,d.dGI&cad=rjt
http://blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=rionsound&logNo=10133791267
http://www.procon.co.kr/pdf/2004%206/2004%206-special-5.pdf
http://www.procon.co.kr/pdf/2000%208/2000%208special-9.pdf
http://blog.naver.com/jungbw92?Redirect=Log&logNo=80012633388