반도체공정실험 예비보고서(Metal deposition)

목차

1. Schematic diagram for the evaporator (vacuum system) and sputter deposition system
1.1. Deposition 개요
1.2. Physical vapor deposition(PVD)
1.3. The evaporator (vacuum system) deposition system
1.4. Sputter deposition system

2. Plan process parameters for target resistivity of evaporated metal film (Al) vs. thickness
2.1. Four-point probe
2.2. 실험변수 설정

3. 실험 예상결과

본문내용

1. Schematic diagram for the evaporator (vacuum system) and sputter deposition system

1.1. Deposition 개요
Deposition이란 진공 중에서 코팅시키고자 하는 물질을 물리적(physical) 방법 또는 화학적(chemical) 방법으로 기화 또는 승화시켜서 원자 또는 분자단위로 기판 표면에 응고되게 함으로써 피막을 형성시키는 방법이다. Deposition은 도금 물질계 및 응고 방법에 따라 물리기상증착(physical vapor deposition ; PVD)과 화학기상증착(chemical vapor deposition ; CVD)으로 나눈다.

<중 략>

그 과정을 보면 진공 chamber 내에 Ar 과 같은 불활성기체를 넣고(약 2∼15mTorr 정도) cathode에 (-)전압을 가하면 cathode로부터 방출된 전자들이 Ar 기체원자와 충돌하여, Ar을 이온화시킨다. Ar이 excite 되면서 전자를 방출하면, 에너지가 방출되며, 이때 glow discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색 계통의 plasma를 보인다. plasma내의 Ar{} ^{+}이온은 큰 전위차에 의해 cathode(target)쪽으로 가속되어 target의 표면과 충돌하면, 중성의 target 원자들이 튀어나와 기판에 박막을 형성한다. Sputter deposition은 여러 가지 다른 재료에서도 성막속도가 안정되고 비슷하며 균일한 성막 생성이 가능하고 step coverage가 좋은 반면 성막속도가 10A/sec 이하로 낮고 성막조건이 민감하고 서로 영향을 끼치는 단점이 있다.

참고 자료

없음