2.다이오드특성

목차

1. 실험에 관련된 이론
2. 실험회로 및 시뮬레이션 결과
3. 실험방법 및 유의사항
4. 참고문헌

본문내용

실험에 관련된 이론
반도체 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류를 잘 통과시키지만 반대 방향으로는 거의 전류를 통과시키지 않는다. 이것은 순방향 저항은 낮은 반면에 역방향 저항은 매우 높기 때문이다. 모든 반도체 다이오드는 대체적으로 한방향으로만 흐르는 특성이 있다.
항복전압 : pn접합에 역방향 바이어스를 인가시키면 pn접합 은 저항이 전류를 흘리지 못할 만큼 커진다. 그러 나 역방향 바이어스를 계속 증가시키면 결국 항복 전압에 도달하게 되는데 이때 역방향으로 급격히 전류가 흐르게된다.

순방향 전류는 전압 양단 순방향 전압이 Si 경우 약 0.7V, Ge 경우 약 0.3V 가 될 때까지는 조금밖에 증가하지 않는다. 이 점 을 지나게 되면 순방향 전압은 각각 거의 0.7V, 0.3V에 머물 고 IF(순방향 전류)는 급속히 증가한다. 동적 저항으로 인한 전 류의 증가로 VF(순방향 전압)는 0.7V, 0.3V보다 약간 증가한다.

참고 자료

B. Razavi, “Fundamentals of Microelectronics,” John Wiley, 1st Edition, 2007
전자회로실험 제10판
http://www.google.co.kr