전자재료 및 실험9(면 저항측정기(4-Point Probe)의 이해 및 Wafer의 면 저항 측정)

목차

1. 실험제목
2. 실험목적
3. 이론적 배경
4. 실험방법 및 실험장비
5. 결과 And 고찰
6. 결론
7. 참고문헌

본문내용

1. 실험제목
< 면 저항측정기(4-Point Probe)의 이해 및 Wafer의 면 저항 측정 >

2. 실험목적
* Wafer 위에 증착된 물질의 면 저항을 측정하여 면 저항 측정기의 원리를 이해한다.

3. 이론적 배경
1) 면 저항 및 4-Point Probe
면 저항은 단위 ohm/sq로 표시된다. 여기서 sq는 □로도 표시되며, 미터법(cm2 등)이 아닌 별도의 단위로서, 무한대의 면적으로 해석하는 것이 일반적이다. 선 저항은 두개의 probe로 임의의 거리에 대한 저항을 측정하지만, 면 저항의 경우에는 동일한 간격의 4개 탐침으로 측정하게 된다.
이때 쓰이는 Probe가 4 point probe이고, 일반적으로 탐침은 1mm간격으로 일렬구성된 probe를 사용하며, 4개의 탐침으로 전류와 전압을 측정하여, 저항 값을 구한 후, 면저항 단위인 ohm/sq로 계산하기 위해 보정계수(C.F)를 적용한다. 면 저항 값은 Wafer, LCD, 태양전지(Solar cell), 연료전지, OLED 등의 벌크 및 박막의 전도성을 검사하기 위하여 쓰인다.

2) Van Der Pauw's Law
이동도와 표면의 캐리어의 농도를 결정하기 위해서는 저항율(Resistivity)과 홀전압의 측정이 필요하다.

참고 자료

없음