[대충] 예비 MOSFET CS amplifier
- 최초 등록일
- 2015.01.17
- 최종 저작일
- 2014.11
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소개글
전자회로실험 MOSFET CS amplifier에 대한 예비 자료입니다.
기존 등록된 자료들을 보시면 너무나 방대한 내용,
체계적인 정리에 부담스러워 직접 작성했습니다.
실험과목은 기본적으로 1학점이고,
보고서의 경우 기한내 제출만 하시면 10점 만점 중 기본점수가 7~8점입니다.
학점은 보고서가 아닌 시험으로 좌우되기에 보고서를 대충 쓰실분들만 다운 받으시길 바랍니다.
목차
1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 예비보고 사항
본문내용
1. 실험 목적
MOSFET 증폭기의 바이어스 방식을 공부하고, enhancement-mode MOSFET를 이용한
common source (CS) amplifier의 전압이득을 측정한다.
2. 실험 이론
드레인 전류 ID가 게이트전압에 의해 제어되는 field-effect 트랜지스터이다. MOSFET는 제작되는 방식에 따라 depletion mode 와 enhancement mode 트랜지스터로 구분된다. Depletion mode MOSFET는 게이트-소오스 간 전압이 0V일 때도 channel이 형성되어 있으므로 드레인 전류가 흐를 수 있으며Enhancement mode MOSFET의 경우는 게이트-소오스 간 전압이 threshold 전압 이상 형성되어야만 channel이 형성되어 드레인 전류가 흐를 수 있다.
1) MOSFET bias
MOSFET를 이용한 증폭기 회로의 바이어스 방법은 voltage divide 방식과 self-bias 방식의 두 가지가 있다. 그림 1의 회로는 n-channel JFET의 self-bias 방식을 보인 것이다.
참고 자료
없음