전자전기컴퓨터설계실험3(전전설3)12주차결과

목차

Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 배경이론 및 지식
Ⅲ. 실험결과
Ⅳ. 토의 및 결론
Ⅴ. 참고문헌

본문내용

Si 내에 흐르는 전류를 이용한 BJT 전류 공식들

일반적으로 모델링해서 사용하는 경우 다음과 같은 공식을 이용해서 사용한다. 이 중에서도 B-E junction값은 보통 0.7V 모델을 이용하는데 이는 우리가 다이오드에서 본 것 같이 지수함수적인 특성에서 전류의 크기가 바뀌어도 전압이 0.7V 정도에서 크게 벗어나지 않기 때문에 사용했던 모델과 같은 이유로 사용한다. 다음과 같은 모델링에서도 많은 부분들은 근사화를 이용하여 사용하기 때문에 실제 값에서는 오차가 존재할 수 밖에 없다.

Small Signal

쉽게 얘기하자면 작은 신호가 들어오기 때문에 선형적이지 않은 소자에서 선형적인 동작을 한다고 가정하고 신호를 해석하는 것을 말한다.
회로에 들어오는 신호는 매우 작은 경우가 다반사이다. 또한 회로가 대부분 비선형적이기 때문에 들어오는 신호들은 그 크기와 위치에 따라서 출력이 큰 차이를 보인다. 이번 실험에 사용하는 MOSFET 소자는 대표적인 비선형 소자이고 증폭기 회로를 구성할 수 있는 소자이다. 특히나 MOSFET 소자는 Saturation 영역에서 증폭을 갖기 때문에 여기서의 small signal 해석은 중요하다. 위에서처럼 DC 신호는 증폭할 AC 신호를 어느 위치에 놓을지를 결정한다. 따라서 DC값에 따라서 AC값이 달라진다는 걸 알 수 있다.

Ⅲ. 실험결과(Results)
[1-1] 사전 보고서의 내용에 따라 Voltage follow를 설계하시오.
VB 값을 적절하게 결정하여 트랜지스터에 흐르는 전류 값이 1.0~1.5mA 범위 안에 있도록 설계하시오. (BJT의 Collector 단자 전압 값을 측정하면 트랜지스터에 흐르는 전류를 용이하게 측정할 수 있음)

참고 자료

Semiconductor device fundamentals - pierret
microelectronic curciuts - sedra/smith 7ed