일반물리학및실험 기초회로 예비레포트

목차

1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 관련이론
4. 실험방법

본문내용

실험 제목
기초회로 실험

실험 목적
저항의 양 끝에 걸리는 전압에 따라 저항에 흐르는 전류를 측정하여, 일반 저항에 대한 옴의 법칙과 반도체 다이오드의 전기(정류) 특성을 확인한다. Kirchhoff 의 법칙을 이용하여 여러 개의 저항과 전압이 연결된 회로를 분석해본다.

관련이론
A. 전기저항
① 옴의 법칙
니크롬선의 양 끝에 전압을 걸어 주고 니크롬선에 흐르는 전류를 측정하면 니크롬선에 흐르는 전류 I는 니크롬선의 양단에 걸린 전압 V에 비례하여 커짐을 알 수 있다.

<중 략>

② 다이오드 특성
4족 원소인 실리콘(Si)나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정 상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와의 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 3족이나 5족의 불순물이 들어가면 결합하고 남은 원자가전자에 의해 일반적으로 전기저항이 감소한다

참고 자료

없음