실험9 예비보고서 RAM

목차

1. 실험 목적
2. 실험 이론
3. 실험 부품
4. 실험 과정 및 예상 결과

본문내용

1. 실험 목적
반도체 memory의 기본적인 동작 원리를 알아보고 16-bit 기억 소자의 동작을 실험을 통해 확인한다.

2. 실험 이론
컴퓨터의 주 기억장치, 응용 프로그램의 일시적 로딩, 데이터의 일시적 저장 등에 사용되는데 기억된 정보를 읽어내기도 하고 다른 정보를 기억시킬 수도 있는 메모리다. RAM은 어느 위치에 저장된 데이터든지 접근(읽기 및 쓰기)하는 데 동일한 시간이 걸리는 메모리이기에 ‘랜덤(Random, 무작위)’이라는 명칭이 주어진다. 반면 하드 디스크, 플로피 디스크 등의 자기 디스크나 자기 테이프는 저장된 위치에 따라 접근하는 데 걸리는 시간이 다르다. 컴퓨터메모리의 기본단위는 memory cell 인데 메모리셀은 1을저장하거나(set) 0을 저장하는(reset) 이진정보를 저장하는 전기회로이고 이 값은 set,reset의 프로세스에 의해 변화되기전까지 유지된다. sram에서는 메모리셀은 플릿플롭회로류이고 주로 FET를 이용해 사용한다. 이러한 점때문에 sram이 접근되지 않을때는 매우낮은 전력을 요구하나 비싸고 매우낮은 저장밀도를 가진다.

참고 자료

없음