차세대 메모리 종류와 특징

목차

1. ReRAM (Resistance Random Access Memory)
2. PRAM (Phase Change Random Access Memory)
3. MRAM (Magnetic Radom Access Memory)

참고문헌

본문내용

정보화와 통신화가 가속됨에 따라 문자, 음성 및 영상의 복합적 이용과 쌍방향 소통이 가능한 기기가 요구되고 있습니다. 이를 위해서는 더 많은 정보를 더욱 빠르게 더 작은 형태로 처리할 수 있는 능력을 가진 소자가 필요한데, 이를 위해서는 핵심부품인 메모리 소자의 초고속화, 초고집적화 및 초 절전화가 관건입니다. 기존의 DRAM 공정은 1T-1C 구조의 cell를 이루고 있는데 capacitor공정의 난이도가 점점 더 올라가게 되어, 높은 수율을 가지는 DRAM cell의 제작이 점점 더 어려워지고 있는 추세입니다. 그래서 기존 DRAM을 대체할 수 있고 비휘발성을 가지는 메모리의 필요성이 크게 요구 되고 있습니다.
현재 개발되고 있는 차세대 메모리는 DRAM의 고집적성과 낮은 소비전력, flash 메모리의 비휘발성, SRAM의 고속 동작을 모두 구현하기 위한 시도가 이루어지고 있습니다. 이에 따라 차세대 메모리로 유력하게 대두되고 있는 소자로는 ReRam(Resistance RAM), PRAM(Phase change RAM), MRAM(Magnetic RAM) 등이 있습니다.

ReRAM (Resistance Random Access Memory)
ReRAM 소자는 일반적으로 금속산화물을 이용한 MIM(Metal-Insulator-Meal) 구조로서 적당한 전기적 신호를 가하면 저항이 큰 전도가 되지 않는 상태(Off state)에서 저항이 작은 전도가 가능한 상태(On state)로 바뀌는 메모리 특성을 가집니다. ReRAM은 On/Off 메모리 특성을 구현하는 전기적 방식에 따라 CCNR(Current Controlled Negative Differential Resistance) 와 VCNR(Voltage Controlled Negative Differential Resistance) 로 구분 될 수 있습니다. VCNR의 경우 전압이 증가함에 따라 전류가 큰 상태에서 작아지는 상태로 변화하는 특징을 보이는데 이 때 나타나는 상당히 큰 저항 차이를 이용하여 On/Off 메모리 특성을 구현하는 것입니다.

참고 자료

차세대 비휘발성 Oxide 저항 변화 메모리(ReRAM). 물리학과 첨단기술. 2005.9. 이동수, 심현준, 최두호, 황현상
MICRO 2009, Sangyeon Cho, Hyunjin Lee
Flip-N-Write : A Simple Deterministic Technique to Improve PRAM Write Performance, Energy and Endurance
유비쿼터스용 유니버설 메모리 기술(MRAM, FeRAM, PRAM) . 유병곤, 류상욱, 윤성민