반도체 제조공정

목차

Ⅰ. 반도체 제조공정
1. Overview
2. 반도체 제조공정 분류
3. Oxidation 공정
4. Lithography공정
5. Etching 공정
6. Ion Implantation공정
7. CVD공정
8. Metallization공정
9. CMP공정

Ⅱ. 반도체장비
1. Furnace
2. Track장비
3. 노광기
4. Etcher
5. Implanter
6. Sputter
7. CMP

Ⅲ. Q&A

본문내용

Oxidation 공정
산화막이 사용되는 주요공정
▪ Ion Implantation 및 Diffusion에 대한 Masking Layer
▪ Silicon Surface의 보호막 역할
▪ 개개 소자의 분리 역할(LOCOS공정에서 Field Oxide)
▪ MOS Device에서 Gate Oxide 및 Capacitor 유전체)

열 산화막의 형성방법
▪ 건식산화
▪ 습식산화

<중 략>

Etching 공정
Wet Etching
소자의 회로선 폭이 수백 ~ 수십μm대의 LSI 시대에 범용으로 적용
VLSI, ULSI 소자에는 등방성 식각이 보이는 집적도의 한계 때문에 거의 사용되지 않고 있다.
Dry Etching
Dry etching은 화학적 방법과 물리적 방법 두 가지 방법이 있다.
화학적 방법은 활성 미립자와 대상물질과의 화학반응에 의하여 대상물질을 제거하는 방법이며 물리적 방법은 대상물질을 물리적 이온 충격으로 파괴하여 제거하는 방법이다

참고 자료

없음