물리학및실험2 기초회로, 다이오드 특성 보고서

목차

1.실험목적
2.실험이론
3.실험방법
4.분석 및 토의

본문내용

1.실험목적
-저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고 반도체 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인한다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정을 통해 Kirchhoff의 법칙을 실험적으로 확인한다.

2.실험이론
1)다이오드 특성 : Ⅵ족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)은 이들이 결정상태를 이루고 있을 때 각 원자가 가지고 있는 4개의 원자가 전자들이 이웃하는 4개의 다른 원자와 강한 공유결합을 형성하고 이들에 속박되어 아주 큰 저항을 가지고 있다. 이 결정에 족이나 족의 불순불이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 인(P)과 같이 5개의 원자가전자를 가지는 족 원소가 미량 첨가되면 여분의 전자는 비교적 자유로이 움직일 수 있게 된다. 이와 같이 족 불순물을 첨가하여 자유전자 전하운송자를 가지게 한 반도체를 n형 반도체라 한다.

참고 자료

없음