직렬병렬회로

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목차

1. 실험 이론
2. 실험 결과값
3. 결과값 분석
4. 실생활에서의 예

본문내용

실험 이론
-다이오드
전류를 한 방향으로만 흐르게 하고, 그 역방향으로 흐르지 못하게 하는 성질을 가진 반도체 소자의 명칭이다. 다이오드의 전류를 한 방향만으로 흐르게 하는 작용을 정류라 하며, 교류를 직류로 변환할 때 쓰인다.

-p-n 접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 결합된 형태를 p-n접합이라 하고, 전극을 붙인 p-n접합을 p-n접합 다이오드라고 한다. p-n접합 다이오드의 p형 반도체 쪽에 (＋) 전원을, n형 반도체 쪽에 (－) 전원을 연결할 때 순방향 전압이 걸렸다고 말하고, 이때 다이오드를 통하여 큰 전류가 흐른다. 이는 n형 반도체 쪽의 자유 전자가 p형 반도체쪽의 홀(hole)로 이동하면서 발생한 전위 차이에 의한 현상이다. 반면에 p-n접합 다이오드의 n형 반도체 쪽에 (＋) 전원을, p형 반도체 쪽에 (－) 전원을 연결할 때 역방향 전압이 걸렸다고 말하고, 이 때는 전류가 거의 흐르지 않는다.

-p형 반도체 : 정공이 전하의 운반체 역할을 하는 반도체
순도가 높은 4가의 Ge(게르마늄)이나 Si(실리콘)의 결정에 3가의 In(인듐)이나 Ga(갈륨)을 극미량 넣으면 8개의 전자가 서로 공유 결합하여야 되는데 하나가 부족한 곳이 생긴다. 이때 이 홀을 이웃한 전자들이 자꾸 메움으로써 회로에 전류가 흐른다. 홀은 음(-)전하를 띤 전자가 하나 모자란 상태이므로 양(+)전하로 볼 수 있다.

-n형 반도체 : 전하의 운반체가 음(-)전하를 띤 전자인 반도체
4가의 Ge(게르마늄)이나 Si(실리콘) 등의 원자에 5가의 As(비소)나 Sb(안티몬)을 극히 소량을 섞으면 다음 그림과 같이 5개의 외각 전자 중 4개는 Ge, Si의 가전자와 공유 결합을 하고 남은 전자 1개는 자유 전자가 된다. 이 자유 전자가 결정 안을 자유롭게 돌아다니면서 전하의 운반체 역할을 한다

참고 자료

없음