쇼트키 다이오드의 전기적 특성

소개글

"쇼트키 다이오드의 전기적 특성"에 대한 내용입니다.

목차

1. 결과
2. 고찰
3. 실험날짜
4. 실험제목
5. 예비이론
6. 참고문헌

본문내용

[1] PN 다이오드 순방향
PN 다이오드에 순방향 바이어스를 걸었을 때 전류 값이 0.8V 전까지 매우 조금씩 증가하다가 0.8V 이상부터 매우 크게 증가하는 것을 확인했다. 이를 통해 문턱전압은 약 0.8V인 것을 확인했다. 0.8V 이상부터 공핍층(SCR)의 크기가
줄어들어 Diffusion current가 매우 우세해져서 다이오드 내에서 전류가 잘 흐르게 된다.

[2] PN 다이오드 역방향
PN 다이오드에 역방향 바이어스를 걸었을 때 전류 값이 거의 0으로 측정되었다. P형 내에서 정공은 (-)단자 쪽으로, N형 내에서 전자는 (+)단자 쪽으로 모여 공핍층의 크기가 커지고 Diffusion current 보다 Drift current가 우세해져 다이오드 내에서 전류가 흐리지 않는 것을 확인했다.

참고 자료

쇼트키 다이오드에너지 밴드 구조 :
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=1537
온도에 쇼트키 다이오드 전류 변화 :
https://www.researchgate.net/figure/Temperature-dependent-I-V-curves-show-back-to-back-Schottky-barrier-behavior-The-current_fig2_252155510
쇼트키 다이오드 역 회복 시간:
https://www.academia.edu/13171063/%EC%87%BC%ED%8A%B8%ED%82%A4_%EB%B0%B0%EB%A6%AC%EC%96%B4_%EB%8B%A4%EC%9D%B4%EC%98%A4%EB%93%9C_%ED%8A%B9%EC%84%B1