다이오드 결과보고서
- 최초 등록일
- 2019.11.11
- 최종 저작일
- 2019.09
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소개글
다이오드 결과보고서 입니다.
목차
1. 실험 제목
2. 목적 및 목표
3. 관련 이론
4. 실험 과정
5. 실험 결과
6. 논의 및 결론
본문내용
1. 실험 제목
다이오드
2. 목적 및 목표
브래드 보드에 다이오드 회로를 꾸며보고 동작 원리와 전류-전압 특성을 그래프를 그려서 알아보자.
3. 관련 이론
<PN 접합 다이오드의 기본 구조와 동작 원리>
P형 반도체는 Hole을 많이 가지고 있음으로 (+)성질, n형 반도체는 Electron을 많이 가지고
있음으로 (-)성질을 가지는데 접합부에 확산(Diffusion)을 통해 n형 반도체 접합부는 (+)성질을, p형
반도체 접합부는 (-)성질을 띄게 된다. 접합부에서 이렇게 형성된 층을 공핍층이라고 한다. 공핍층에서는 자체적으로 (+)에서 (-)로 전기장 E가 형성되는데 이 힘(Drift)이 확산(Diffusion)의 힘과 평형을 이루게 되면 공핍층이 더이상 커지지 않고 멈춘다. 이 때의 전위차가 0.7V가 된다. 그러므로 PN 접합 다이오드가 정상적인 작동을 하기 위해서는 0.7V이상의 전압을 흘려주어야 한다. (+) 전극을 p형 반도체 쪽에, (-) 전극을 n형 반도체 쪽에 연결한다면 순방향 바이어스로 n형
반도체에 있는 Free electron가 p형 반도체에 존재하는 Hole을 채우기 위해 p형 반도체 쪽으로
이동하게 된다. 이렇게 이동한 Free electron은 n형 반도체에 Hole을 남기게 되므로, Hole은 p형
반도체에서 n형 반도체로 이동한 것과 같은 효과를 준다. 이렇게 옮겨진 Free electron와 Hole은
전원으로부터 연결된 전극으로 빠져 나가게 되고 p-n 접합 다이오드에 전류가 계속해서 흐를 수 있게 된다. 반대로 (+) 전극을 n형 반도체 쪽에, (-) 전극을 p형 반도체 쪽에 연결한다면 역방향 바이어스로 p형 반도체의 Hole과 n형 반도체의 Free electron이 p-n접합부를 서로 건너가지
못하게 되어 전류가 흐르지 않게 된다.
참고 자료
없음