Biasing and Common-Source Amplifier 11주차 예비보고서

목차

I. 서론
A. 실험 목적
B. 실험 이론
C. 예상 실험 순서

II. 예비 보고서

본문내용

I. 서론
A. 실험 목적
이번 실험에서는 MOSFET의 동작 원리를 이해하고, 전류-전압의 특성 및 small-signal model을 학습한다..
B. 실험 이론
MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로 구조와 동작 원리를 나타낸다. P형 기판 위에 n+dopping 영역을 만들어 source와 drain으로 사용한 구조를 NMOS, n형 기판 위에 p+dopping 영역을 만들어 source와 drain으로 사용한 구조를 PMOS라 한다.

C. 예상 실험 순서
3.3.1 MOSFET quick parameter estimation

1) 위의 회로를 구성하고 Vdd=0V로 한다.
2) Vdd를 증가시키면서 Drain current를 측정한다.
3) Drain current가 20mA가 될 때까지 Vdd를 올린다.
4) gm은 동작점에서의 Drain current 변화를 나타내며, 접선의 기울기이다. Vdd를 약간만 증가시켜 측정한다.
5)이 때 증가한 Drain current를 측정한다.

참고 자료

없음