BJT 전기적 특성 BE, BC 다이오드

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"BJT 전기적 특성 BE, BC 다이오드"에 대한 내용입니다.

본문내용

2. 실험제목 : BJT 전기적 특성 관찰

3. 예비이론 :
[1] BE 다이오드 특성
Base와 Emitter는 PN접합으로 되어있고, NPN BJT의 경우 Base는 P-type으로 Emitter는 N-type으로 되어있다. 이 BJT를 active영역에서 동작시키려면 Base에는 (-)전압, Emitter에는 (+)전압을 가하여 PN 접합에 순방향 바이어스를 가한다. 그러면 PN 다이오드의 전위장벽이 작아지고 그래서 N-type쪽의 전자는 P-type으로 이동하고 P-type의 정공은 N-type으로 이동하여 PN접합 사이에서 순방향 전류가 흐르게 된다. 이때 문턱전압(Threshold voltage)이상의 전압이 가해져야 순방향 전류가 흐르게 된다. 이 문턱전압은 보통 0.7V정도 이다.

참고 자료

BJT BE, BC
https://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_junction_transistor
https://learn.sparkfun.com/tutorials/transistors/all
https://www.electronicshub.org/signal-diode-tutorial/
다이오드 온도 특성
https://m.blog.naver.com/PostView.nhn?blogId=pro_000&logNo=221018415196&proxyReferer=https%3A%2F%2Fwww.google.com%2F
https://www.researchgate.net/figure/10b-Effect-of-temperature-on-the-I-V-characteristics-of-a-P-N-Junction-diode_fig10_312190335
전자회로1, 물리전자2 노트필기

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