소자및공정 Erica CMOS Mask design Project

목차

없음

본문내용

Based on the layout below, design each mask and explain the process in detail.
Step 1. Thermal Oxidation으로 SiO2를 표면에 만든 후에, PR을 도포한다.
Step 2. N-Well Mask를 통해서 PR을 UV에 exposed시키고 developing한다.
Step 3. Etching을 하게 되면 PR이 덮이지 않은 곳의 SiO2가 제거 된다.
Step 4. PR을 제거하고 난 후에 Diffusion 혹은 Ion implantation 방식으로 N-well을 형성한다.
Step 5. Hydrofluoric acid 등을 사용하여 SiO2를 제거한 후 얇은 Gate Silicon Dioxide를 Oxidation한다. 이때 굉장히 얇고 퀄리티도 중요하기 때문에 Dry oxidation을 사용한다.
Step 6. CVD를 이용하여 Polysilicon을 deposition한다.
Step 7. Polysilicon mask를 이용하여 patterning을 해준다. 이때 gate뿐만 아니라 polysilicon lines도 동시에 patterning되게 된다.
Step 8. oxidation을 이용하여 표면을 덮고..

<중 략>

참고 자료

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