스퍼터링, RIE 실습 레포트

목차

Ⅰ. 실험목표
Ⅱ. 이론적 배경
Ⅲ. 실험장비 원리 및 방법
Ⅳ. 실험결과
Ⅴ. 결론 및 고찰

본문내용

Ⅰ. 실험목표
ⅰ) DC플라즈마를 이용한 유리기판 위 금속 박막 증착 및 광학적 투과율 측정
DC 플라즈마를 이용한 스퍼터링 증착 방법으로 유리기판 위 금속 박막 증착 시 일정 파워와 일정 압력에서 증착시간, 전체 유량, O2 gas 유무에 따른 금속 박막의 광학적 투과율 변화를 측정하는 데 목표를 둔다.

ⅱ) RIE를 이용한 bare glass, 실리콘 기판 표면처리 조건에 따른 접촉각 측정
이온 충격 및 라디칼 반응을 이용한 RIE 식각 기술을 이해하고 RIE를 이용한 bare glass, 실리콘 기판 표면처리 시 일정한 압력, 파워, gas의 양에서, gas 종류, 표면처리 시간을 변화시켜 기판 표면의 접촉각 변화를 측정하는 데 목표를 둔다.

Ⅱ. 이론적 배경
플라즈마는 부분적으로 이온화된 기체 상태로 전자, 이온, 라디칼으로 구성된다. 거시적으로 플라즈마 내부의 전자와 이온의 밀도는 거의 같아 전기적으로 중성이지만, 미시적으로는 양극, 음극에 따른 쉬쓰 전압에 의해 전위차를 갖는다. 이러한 전위차를 갖는 플라즈마 내부는 이온 및 전자가 전기적 반응에 의해 가속되어 충돌현상을 갖는데, 증착 및 식각 등의 플라즈마 공정은 이러한 충돌현상으로 발생하는 물리적, 라디칼을 이용한 화학적 반응을 이용한다.

ⅰ) 스퍼터링 (Sputtering) 증착법
스퍼터링 증착법은 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이용해 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌시키고, 운동량 전달에 의해 타겟 표면으로부터 원자들이 튀어나와 기판 상에 막을 만드는 방법을 뜻한다.
DC 플라즈마를 이용하여 스퍼터링 증착 시 파워 전극 면적을 접지 전극 면적에 비해 작게 하여 큰 음의 쉬쓰 전압을 형성

참고 자료

없음