아날로그 및 디지털회로설계실습 실습7(논리함수와 게이트) 결과보고서

목차

1. 서론
2. 실험결과
3. 검토사항
4. 결론
5. 참고문헌

본문내용

요약 : 이번 실험은 논리 게이트 소자를 가지고 다른 논리 게이트 회로를 구성하고 값을 관찰하고 비교하는 실험이다. 먼저 AND, OR, NOT 소자를 가지고 NAND, NOR 회로를 구성하여 실험한 결과 진리표와 결과가 일치하였고 평균 0.151%의 오차를 보였다. 다음은 NAND 4개를 가지고 XOR회로를 구성하여 실험한 결과 진리표와 결과가 일치하였고 평균0.98%의 오차를 보였다. 디지털 회로 실험이라 그런지 오차가 평균 0.133%밖에 차이 나지 않아서 실험이 잘 되었다. 오차의 원인은 연결선들의 저항, DMM의 내부저항, LED의 저항 때문으로 생각된다.

1. 서론
이번 실험에서는 논리 게이트 소자를 이용하여 여러 논리 게이트 회로를 구성하고 예상한 진리표와 결과가 맞는지 확인해보는 실험이다. NAND, NOR, XOR 회로를 구성해보고 진리표와 실험결과가 맞는지 확인해보았다.

2.실험결과
7-4. 설계 실습 내용 및 분석
7-4-1설계한 논리게이트 구현 및 동작
(A) LOW(0) 값HIGH(1) 값, Vcc를 각각 0V, 5V, 5V로 설정한다. AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND. NOR, XOR 게이트의 진리표와 등가회로를 작성하고 두 입력의 모든 경우에 대해 출력 전압의 값을 측정한다.
Ans) 이 항목에서는 NAND와 NOR만 실험하였다.
NAND 회로의 사진은 다음과 같다. 그 밑에는 실험결과 사진을 첨부하였다.

NAND소자의 진리표와 실험 결과의 진리표가 일치하였다. HIGH(1) 값은 4.9896V, 4.9893V, 4.9912V로 5V에 거의 근접한 값을 보였고, 각각 0.208%, 0.214%, 0.176%의 오차를 보였다. LOW(0) 값은 0.0013V로 0V에 거의 근접한 값을 보였고, 0.13%의 오차를 보였다.

NOR 회로의 사진은 다음과 같다. 다음장에 실험결과 사진을 첨부하였다

참고 자료

중앙대학교 전자전기공학부, “아날로그 및 디지털 회로 설계 실습”, 이론 10