아주대학교 반도체실험 Diode 결과보고서,측정데이터(A+학점인증)
- 최초 등록일
- 2020.10.11
- 최종 저작일
- 2016.09
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소개글
안녕하세요.
'반도체읽어주는남자'입니다.
- 본인 인증
- 전자공학과 졸업 인증
- 삼성전자 반도체공정 재직 인증
아주대학교 반도체실험 A+학점 인증 (파일포함)
모든 데이터를 직접 측정하였으며,
미리보기에서 볼 수 있듯이 깔끔하게 차트를 구성하였습니다. (Raw data 포함)
직접 작성한 자료들입니다.
목차
1. 실험목표
2. Diode의 I-V 특성 측정 및 파라미터 추출
2.1 상온에서의 Diode 측정 및 분석
2.1.1 Diode의 SPICE 모델 변수 추출
2.1.2 Photodiode의 SPICE 모델 변수 추출
2.2 온도변화에 따른 Si pin diode의 I-V 측정 및 분석
2.2.1 각 온도에서의 모델 변수 추출
3. 실험에 대한 분석 및 고찰
4. 참고문헌
본문내용
1. 실험 목표
1) 소자 분석기를 이용하여 다이오드와 포토다이오드의 전류-전압 특성을 측정한다.
2) 다이오드의 비선형성을 이해하고 SPICE용 파라미터 추출을 통해 실험결과와 ADS 시뮬레이션의 결과를 비교한 뒤 추출된 변수의 타당성을 검증한다.
3) SPICE 모델 변수들이 소자 특성에 미치는 영향을 분석한다.
4) 상온에서의 다이오드 전류-전압 특성 측정, 포토다이오드의 전류-전압 특성 측정, 온도변화에 따른 다이오드의 전류-전압 특성 측정을 통하여 다이오드의 전류-전압 특성을 이해한다.
2. Diode의 I-V 특성 측정 및 파라미터 추출
2.1 상온에서의 Diode 측정 및 분석
- 온도변화가 없는 상온(297K)에서 다이오드, 포토다이오드의 전류-전압 특성을 측정하고 측정결과 분석을 통하여 다이오드의 전류-전압 특성을 이해한다. 그리고 시뮬레이션의 결과와 비교과정을 통하여 SPICE 파라미터 추출 과정을 이행한다.
- 시뮬레이션 과정은 크게 두 가지 목표를 가지고 있다. 첫째로 다이오드 소자의 이해이다. 정리된 이론에 부합하는 결과를 확인하는 과정을 통하여 소자의 이해를 돕는다. 둘째로 이후 회로 설계 시에 필요한 소자의 파라미터 값을 추출하는 목적이다. 보다 정확한 파라미터 추출을 통해 이후 회로설계 과정에서 정확한 동작을 이끌어낼 수 있는 기반으로 볼 수 있다. 이후 실험의 시뮬레이션 과정의 목표는 동일한 목표를 가지고 있다.
참고 자료
Robert F. pirret, Semiconductor Device Fundametals, Adisson Wesley
압축파일 내 파일목록
0907실험결과 - Diode/160907 PN Diode 데이터1 (차트 완성).xlsx
0907실험결과 - Diode/160907 PN Diode 데이터2 (차트 완성).xlsx
0907실험결과 - Diode/160907 포토다이오드 데이터1 (차트 완성).xlsx
0907실험결과 - Diode/160907 포토다이오드 데이터2 (차트 완성).xlsx
0928실험결과 - Diode 온도/PN Diode 온도 데이터 총합 (차트 완성).xlsx
0928실험결과 - Diode 온도/PN Diode 온도 데이터 총합(촘촘하게) (차트 완성).xlsx
Diode 최종 결과보고서/Diode 최종 결과보고서.hwp
반도체실험 A+ 성적인증.jpg