전자전기컴퓨터설계실험3 - 예비레포트 - 실험10 - MOSFET(CMOS Inverter) (A+)
- 최초 등록일
- 2020.11.26
- 최종 저작일
- 2020.06
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소개글
"전자전기컴퓨터설계실험3 - 예비레포트 - 실험10 - MOSFET(CMOS Inverter) (A+)"에 대한 내용입니다.
목차
1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
2. Materials & Methods (실험 장비 및 재료와 실험 방법)
가. Experimental data to obtain and Order of experiment
나. Materials (Equipment, Devices) of this Lab
3. Supposed Data and Results of this Lab (예상 실험 결과)
가. Pre-Lab 1.
나. Pre-Lab 2.
다. Pre-Lab 3.
4. Matters that require attentions (주의 사항)
가. Attentions to manipulate equipment
나. Cause of suppose error & Effort for reducing error
본문내용
1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
MOSFET 트랜지스터를 사용하여 CMOS Inverter를 설계할 수 있고, NMOS Bias Circuit에 대해 알아본다.
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab
(1) Inverter
(가) Logic Gate
Digital Logic에서 Inverter는 NOT Gate로 동작한다. 이 Gate는 0을 받으면 1을 출력하고, 1을 받으면 0을 출력한다.
Boolean Expression으로는 다음과 같이 표시한다.
Y=X ̅
(나) NMOS
NMOS는 N-type MOSFET으로 P-type의 실리콘 기판에 Source와 Drain이 N+로 도핑 되어있는 MOSFET이다. Gate에 Threshold Voltage보다 큰 전압을 인가하면 Source와 Drain사이에 전류가 흐르게 된다. 그리고 Gate의 전압이 Threshold Voltage보다 낮다면 전류가 흐르지 않는다. NMOS에서 Threshold Voltage는 양의 값을 갖는다.
(다) PMOS
PMOS는 P-type MOSFET으로 N-type의 실리콘 기판에 Source와 Drain이 P+로 도핑 되어있는 MOSFET이다. Gate에 Threshold Voltage보다 낮은 전압을 인가하면 Source와 Drain사이에 전류가 흐르게 된다. 그리고 Gate의 전압이 Threshold Voltage보다 크다면 전류가 흐르지 않는다. PMOS에서 Threshold Voltage는 음의 값을 갖는다.
2. Materials & Methods (실험 장비 및 재료와 실험 방법)
가. Experimental data to obtain and Order of experiment
(1) Procedure of the Lab 1.
(가) 주어진 회로와 구하고자 하는 데이터
참고 자료
Sedra, 『Microelectronic Circuit 7th』, OXFORD(2016), p332-p344, p1226-p1227
“정보통신기술용어해설" http://www.ktword.co.kr/index.php
실험 교안 ppt파일
