반도체실험 MOSFET 보고서

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실험 목표
- ALD1103, CD4007UBE 칩의 NMOS의 전류-전압을 측정하여 LEVEL 1 Model의 변수들을 추출한다.
- 추출한 변수를 통해서 ADS를 사용하여 Simulation을 통해 측정 데이터와 비교하고 같아지도록 변수를 조정한다.
- Level 3 Model을 사용하여 변수 값들을 조정해서 측정 데이터와 비교한다.
- 위의 과정을 통해서 MOSFET의 특성과 특성 측정 방법을 익히고 여러 가지 Model에 대해 이해함으로서 MOSFET 설계 능력을 배양한다.

NMOS 트랜지스터의 전류-전압 특성 측정
- Curve는 Drain Source 전압의 변화를 기본으로 Gate Source전압의 변화에 따른 Drain 전류의 변화를 나타낸 것이다. 그 결과 그래프는 아래와 같다. 이 그래프로부터 Cut-off, Saturation, Triode region, Pinch-off 전압, 동작전압, 동작 전류 등을 알아 낼 수 있다.

그림은 크게 두 구간으로 나눠짐을 확인 할 수 있었다. 가 증가될 때, 가 선형적으로 증가하는 Triode region과 가 증가하더라도 더 이상 가 증가하지 않고 평탄해지는 Saturation region으로 구분할 수 있었다. 이 때 Triode region은 전압이 높을수록, 더 많이 전자가 끌려와서 채널이 넓어지므로 더 많은 전류가 흐르게 되는 것이며 Drain의 전압이 높을수록 더 많은 전류가 더 많이 흐르게 된다.

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