서울시립대학교 전전설3 10주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)

소개글

"서울시립대학교 전전설3 10주차 결과레포트(설계 성공적, A+, 코로나로 인한 시뮬레이션 실험, 하지만 이론 주석 깔끔)"에 대한 내용입니다.

목차

1. Introduction (실험에 대한 소개)
가. Purpose of this Lab
나. Essential Backgrounds (Required theory) for this Lab

2. Results of this Lab (실험 결과)
가. 실험 [1-1]
나. 실험 [2-1]
다. 실험 [2-2]
라. 실험 [2-3]
마. 실험 [2-4]
바. 실험 [3-1]
사. 실험 [3-2]
아. 실험 [4-1]
자. 실험 [4-2]

3. Conclusion & Discussion (결론 및 토의)
가. Summarize experiment contents & Studies from this Lab

4. Reference (참고문헌

본문내용

[2-3] PSPICE에서 동작 온드를 80°C로 정한 후 [2-1] 및 [2-2]의 경우에 대하여 다시 Simulation을 수행하시오.
1) [2-1] 반복 (80°C)
Bias Simlation result
Ids = 850.1uA
Vg = 2.286V
Vs = 425.0mV
Vgs = 1.861V

2) [2-2] 반복 (80°C)
Bias Simlation result
RG1 = 7.4763Mk
Ids = 1.118mA
Vg = 1.888V
Vs = 0V
Vgs = 1.888V

[2-4] Simulation 값들을 비교하여 RS의 역할에 대하여 분석하시오.
온도 변화에 따른 2N7000 특성 변화
RS는 MOSFET의 오차에 대해 전류 id의 변화가 줄어들게 만드는 역할을 한다.
온도의 변화로 인해 왼쪽의 사진과 같이 소자의 특성이 변화하게 되었다. 즉, [2-1],[2-2]와 특성에 대해 오차가 발생하게 된 것이다.
실제 공정에서 만들어진 MOSFET에 대해 모두 같은 특성을 갖지 않는다. 이러한 오차에 대해 MOSFET은 매우 민감하게 작동하는 소자이다.

참고 자료

Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith. Microelectronic. 7th ed. wiley, 2015, p.378-481