[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로(PSpice 포함)
- 최초 등록일
- 2021.04.20
- 최종 저작일
- 2019.06
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목차
1.제목
2.실험 목적
3.실험 장비
4.이론
5.출처
본문내용
제목
● JFET 특성
● JFET 바이어스 회로
실험 목적
● JFET 트랜지스터의 출력 특성, 드레인 특성, 그리고 전달 특성을 구한다.
● 고정 바이어스, 자기 바이어스, 전압 분배기 바이어스 JFET 회로를 분석한다.
실험 장비
1. DMM
2. 저항 ( 100, 1 , 10 , 15 , 1 ) / ( 1 , 1.2 , 2.2 , 3 , 10 ,
1 전위차계 )
3. 트랜지스터 ( JFET 2N4416 또는 등가 )
이론
1. FET(Field-Effect Transistor)
FET는 전계효과 트랜지스터라고 부르며 이전에 배웠던 BJT와 약간 다른 특성을 가진다. 먼저 Biopolar의 전류제어형 소자이고 컬렉터, 베이스, 이미터로 이루어진 BJT와 달리 FET는 Unipolar의 전압제어형 소자에 게이트, 드레인, 소스의 3단자로 이루어져있다.
FET의 종류에는 JFET, MOSFET, MESFET 등이 있고, MOSFET는 공핍형과 증가형으로 구분된다. 특성으로는 높은 입력임피던스를 가지는 것과 온도 변화에 안정적, 전압 이득이 적은 것, 주파수 특성이 좋지 않다는 것 등이 있다.
2-1. JFET(Junction Field-Effect Transistor)
접합 전계효과 트랜지스터(JFET)의 채널은 각각 드레인과 소스로 불리는 두 개의 단자에 연결되어 있다. n-채널 JFET에서는 드레인이 양(+)전압에, 소스가 음(-)전압에 연결되어 채널에 전류의 흐름이 형성된다. p-채널 JFET의 경우 인가전압의 극성은 n-채널 JFET와 반대이다. 게이트로 불리는 단자는 공핍영역과 채널의 폭을 조절할 수 있는 매커니즘을 제공하며, 이를 통해 드레인과 소스 단자 간에 흐르는 전류를 제어할 수 있다. n-채널 JFET에서는 게이트에서 소스까지의 전압이 음전압으로 될수록 채널의 폭이 좁아지며 흐르는 전류가 작아지게 된다.
참고 자료
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=4049
http://cherryopatra.tistory.com/130