기본 Diode 회로 예비보고서
- 최초 등록일
- 2021.05.19
- 최종 저작일
- 2020.10
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소개글
"기본 Diode 회로 예비보고서"에 대한 내용입니다.
목차
1. Diode란 무엇인가? (기본 I-V특성 포함)
2. 저항과 Diode를 직렬/병렬 연결하였을 때 회로 특성
3. 참고 문헌 및 출처
본문내용
1.Diode란 무엇인가? (기본 I-V특성 포함)
반도체 소자는 게르마늄(Ge), 실리콘(Si) 등의 재료로 만들 수 있고, 이 때, 불순물을 주입하여 전도율을 높일 수 있다. 비소와 같은 5족 원소를 첨가하면 홀은 소수 캐리어가 되고, 전자는 다수 캐리어가 되어 잉여 전자가 생기게 된다. 이 때의 반도체를 n형 반도체라고 한다.
붕소와 같은 3족 원소를 첨가하면 반대로 전자가 소수 캐리어가 되고, 홀이 다수 캐리어가 되어 홀이 전류를 흘리는 것으로 생각할 수 있다. 이 때의 반도체를 p형 반도체라고 한다.
다이오드는 이러한 n형 반도체와 p형 반도체를 접합시켜 놓은 것이다.
즉 위와 같은 그림의 기호로 나타낼 수 있으며, 전류를 한 쪽 방향으로만 흐르게 하고 역방향으로는 전류가 흐르지 못하게 하는 성질을 가지고 있다.
참고 자료
위키백과(https://ko.wikipedia.org/wiki/)
이글루스(http://recipes.egloos.com/)
티스토리(https://mathphysics.tistory.com/)
정보통신기술용어해설( http://www.ktword.co.kr/)