울산대학교 전자실험레포트 6. BJT의 특성

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목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론

3. 실험순서
1) 트랜지스터의 종류와 단자결정
2) BJT의 공통 Emitter (CE) 입출력 특성
3) α와 β의 변화
4) 오실로스코프를 이용한 트랜지스터 출력특성 곡선
5) BJT의 공통 Base(CB) 입출력 실험

4. 시뮬레이션

본문내용

1. 실험 목적
DMM을 사용하여 트랜지스터의 종류와 단자를 구분하는 방법 및 트랜지스터의 출력 특성을 나타내는 α와 β 값을 측정한다.
2. 실험 이론
BJT의 구조는 두 개의 N형 층이 가운데 P형 층에 의해 분리된 구조로 만들거나, 반대로 두개의 P형 층이 가운데에 N형 층으로 분리된 구조로 만든다. 전자를 npn 트랜지스터, 후자를 pnp 트랜지스터라고 부른다. 어느 경우나 중간층을 베이스라고 부르며, 양쪽 외부 층들의 하나는 컬렉터라고 하며, 다른 하나는 에미터라고 부른다. 두 종류의 트랜지스터인 npn과 pnp는 각 단자에 인가되는 전압의 극성과 전류 방향이 반대이지만 다른 특성은 거의 동일하다.

참고 자료

없음