트랜지스터 증폭회로2 결과보고서

목차

1. 개요
2. 실험기기
3. 실험순서
4. 고찰

본문내용

I. 개요
앞의 실험에 이어 common-collector 형태의 emitter follower 회로 및 Darlington amplifier를 만들어보고, 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터의 이해를 높인다. 이 과정에서 입력 임피던스, 출력 임피던스의 개념을 심화하고 buffer의 개념을 익힌다.

2. 실험기기
테스터, 오실로스코프, 함수발생기, 직류전원장치, 교류전압계, 교류전류계, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, 저항 100 1개, 1k 4개, 2.2k 1개, 3.6k 1개, 10k 1개, 100k 3개, 세라믹 커패시터 0.1uF 5개, 트랜지스터 2N3904 3개

3. 실험순서
(1) 그림10의 회로를 결선하고 함수발생기의 출력을 0으로 한 상태에서 트랜지스터의 collector, emitter, base 단자의 전위를 측정하고 이로부터 직류bias 상태가 정상적으로 설정되었는지 점검하라.
예상 회로 결선 회로

예상 값 측정 값
VBB 1.789V
VC 5.99V
VE 1.122V

(2) 함수발생기를 켜서 증폭회로를 동작시키고 예비보고서 1항의 내용에 준하여 실험을 행한다. 이때 함수발생기의 주파수는 교류결합 커패시터의 임피던스가 충분히 낮은 값이 되어 short상태에 가깝게 동작하도록 충분히 높은 값으로 한다(20kHz 이상).

F=100kHz 예상 값 측정 값
1kΩ 201.87mV
100Ω 25.104mV

- 트랜지스터의 collector, emitter, base 단자의 전위는 무시할 수 있는 오차로 같은 값이 측정되었다.
- 부하저항이 1kΩ일때, 계산을 통한 이론값은 185.07mV, 시뮬레이션을 통한 예상값은 201.87mV로 실험에서 측정된 전압과는 많은 오차가 있었는데 이는 다른 종류의 커패시터, 트랜지스터의 증폭율 차이 등으로 오차가 발생한 것으로 보인다.

(3) 그림11의 회로를 결선하고 함수발생기의 출력을 0으로 한 상태에서 emitter follower의 collector, emitter, base 단자의 전위를 측정하고 이로부터 직류bias 상태가 정상적으로 설정되었는지 점검하라.

참고 자료

없음